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品名	英文名	分子式	級別
			SL	UL	VL(CMOS)	EL
氟化銨腐蝕液(BOE)	Ammonium Fluoride Etchant	NH4F·HF	■	■	■	■
氟化銨腐蝕液(BOES)	Ammonium Fluoride Etchant(with Surfactant）	NH4F·HF	■	■	■	■
鋁蝕刻液	Aluminum Etchant	H3PO4·HNO3·CH3COOH		■	■	■
鉬蝕刻液	Mo Etchant	H3PO4·HNO3·CH3COOH		■	■	■
鉬鋁/鉬鋁鉬蝕刻液	MoAl/MoAlMo Etchant	H3PO4·HNO3·CH3COOH		■	■	■
硅蝕刻液(MAE)	Silicon Etchant	HNO3·HF·CH3COOH		■	■	■
金蝕刻液	Au Etchant	KI				■
銀蝕刻液	Ag Etchant	H3PO4·HNO3		■	■	■
鈦蝕刻液	Ti Etchant	HF	■	■	■	■
鉻蝕刻液	Cr Etchant	HNO3CAN			■	■
酸性剝離液(AP-2X)	Nanostrip 2XP	H2SO5		■	■	■
氫氟酸腐蝕液DHF	Hydrofluoric Acid(with Surfactant）	HF	■	■	■	■
ITO蝕刻液(王水)	ITO Etchant	HNO3·HCI			■	■
ITO蝕刻液(草酸)	ITO Etchant	HNO3·HCI			■	■
ITO蝕刻液(FeCl3)	ITO Etchant	HNO3·HCI				■

● EL級：優于美國SEME C1標準，控制1μm顆粒，控制十多個金屬元素，單項金屬元素控制在100PPb。
● VL級：介于EL與UL之間，控制0.5μm顆粒，控制三十多個金屬元素，單項金屬元素控制在10~100PPb。
● UL級：等同于美國SEME C7標準，控制0.5、0.3μm顆粒，控制三十多個金屬元素，單項金屬元素控制在10PPb以下。
● SL級：等同于美國SEME C8標準，控制0.3μm顆粒，控制三十多個金屬元素，單項金屬元素控制在1PPb以下。